内容摘要：7月6日消息，据报道，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析师指出，两家公司正重

HBM4已放宽至775微米。混合键合凉K海JEDEC正在讨论将HBM5的力士厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。当前HBM4的急刹I/O数量已翻倍至2048个。称可较现有产品降低超过30%热阻。用不也悬导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，混合键合凉K海现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，力士不过混合键合的急刹研发并未停滞。即使到HBM5也可能暂不采用。用不也悬三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，混合键合凉K海届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。力士混合键合的急刹无凸点减薄优势不再紧迫。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。用不也悬

混合键合技术在下一代HBM上的混合键合凉K海全面应用可能比预期进一步延迟。

16层以上高堆叠产品的力士需求并不紧迫，

业内判断，急刹以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。厚度标准松动后，无需使用凸点，

然而，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。据报道，有助于减小HBM厚度并改善散热。

SK海力士则推出iHBM技术，

散热问题也有了更简单的替代方案。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，12层产品仍极有可能被用作主流产品。

7月6日消息，即使到HBM4E阶段，短期内混合键合不会大规模部署，

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。行业分析师指出，

而HBM3E标准厚度为720微米，将电绝缘、可从堆叠内部带走热量。三星开发了HPB热通道模块，在封装内部加入独立热柱，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，