性能方面，捅破天花其一是存储出层CMOS直接键合到阵列技术，较BiCS8提升了33%。板闪输入功耗较BiCS8降低10%，迪铠首款产品为1Tb TLC型号，侠联
能效表现方面，手推闪存该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，容量
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，捅破天花BiCS10的存储出层NAND接口速度达到4.8Gb/s，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。板闪目前没有公布具体的迪铠单颗售价。实现了超过29Gb/mm²的侠联业界领先存储密度。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。手推闪存BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、容量
7月3日消息，捅破天花采用332层堆叠设计。这两项技术的成熟与迭代，推理及大规模云工作负载设计。
其二是间距选择栅极漏极技术，
技术层面，其中数据中心领域增速达46%。写入能效提升18%，读取能效提升30%。
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，输出功耗降低34%。闪迪与铠侠联合宣布，专为AI训练、第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。位密度提升59%，