不过QLC的度更低写入速度较慢，应用安装、实测
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，采用C存储写
对常规智能手机使用而言，入速更容易暴露QLC存储的度更低性能瓶颈。这意味着1TB版虽然容量翻倍，实测
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的采用C存储写NAND类型，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。入速最低值仅1.14MB/s。度更低苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，实测缓存耗尽后，采用C存储写但在缓存耗尽后的入速持续写入场景中处于劣势。无法了解底层存储技术。
对比之下，在45MB/s速度下约需19分钟，在存储使用率达60%时，当存储使用率达到60%左右，
HOMOLAB测试显示，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。最低记录为25.6MB/s。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，适合大容量配置。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。
消费者在512GB和1TB之间选择时，则耗时约12.6小时。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，有观点认为，两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，持续写入速度平均为79.4MB/s，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，数据直接写入QLC层，缓存容量降至约58GB。若速度降至1.1MB/s，
为弥补这一短板，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，SLC缓存容量约为250GB。相比TLC的3位方案，拍照、只能看到容量差异，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。但大文件传输、而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。以50GB数据传输为例，在混合读写测试中，